碳化硅衬底退火炉
高温退火炉系统主要用于化合物半导体：SiC或GaN的2’’、4’’、6’’晶原片或其他尺寸工艺片的高温退火、活化等工艺。碳化硅单晶生长一般是在高温下进行的，晶体生长结束后，晶体内部存在较大的残余应力。
了解详情