PECVD石墨烯生长炉

产品描述

 PECVD1200等离子气相沉积炉是我公司在消化吸收国外同类产品的基础上，与北京大学东莞光电研究院共同研制开发的。广泛应用于薄膜生长等工艺。本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子字体化学活性很强，很容易发生反应，在基片沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应。该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。是高校、科研院所、工矿企业做等离子体增强CVD实验用的理想产品。

产品特点

 1.通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态

2.PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。

3.可以通过射频电源的频率来控制所沉积的薄膜的应力大小。

4.PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。