产品简介
此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
主要功能和特点
1、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相；
2、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量；
3、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率；
4、能广泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。
技术参数
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控温精度 |
±1℃ |
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升温速率 |
≤20℃/min |
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工作温度 |
≤1100℃ |
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加热区长度 |
440mm |
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恒温区长度 |
200mm |
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石英管尺寸 |
L1400mm Φ（60、80、100） |
